在有关 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的本模块中，我们将讨论以下主题：MOSFET 的发展历史、器件结构、器件类型、电路符号、长沟道理论、I-V 特性、工作模式、沟道长度调制、体偏压效应、块状电荷效应、阈下传导、短沟道器件中的源极/漏极电荷共享、漏极诱导势垒降低、次表面击穿、迁移率下降、速度饱和、漏极电流饱和、漏极电流随沟道长度的缩放以及速度随沟道长度的缩放。

在有关 BJT（双极结晶体管）的本模块中，我们将讨论以下主题：BJT 器件结构、能带图、有源偏置、泄漏电流、基极重组、掺杂注入、基极非均匀掺杂、电流增益、BJT 开关、单异质结双极晶体管、双异质结双极晶体管、非均匀材料、早期效应、发射极偏置依赖性、高电平注入、基极、发射极和集电极传输时间以及 RC 时间常数。