本课程也可以作为 ECEA 5632 的学分，是 CU Boulder 电子工程理学硕士学位的一部分。 本课程深入讨论和分析金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和双极结型晶体管 (BJT)，包括平衡特性、工作模式、开关和电流放大行为。 课程结束后，学员将能够： 1.理解并分析金属氧化物半导体（MOS）器件 2.理解并分析 MOS 场效应晶体管（MOSFET） 3.理解并分析双极结型晶体管 (BJT)
晶体管 - 场效应晶体管和双极结型晶体管
晶体管 - 场效应晶体管和双极结型晶体管
本课程是 半导体器件 专项课程 的一部分
位教师：Wounjhang Park
访问权限由 New York State Department of Labor 提供
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本课程是 半导体器件 专项课程 专项课程的一部分
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- 向行业专家学习新概念
- 获得对主题或工具的基础理解
- 通过实践项目培养工作相关技能
- 获得可共享的职业证书
该课程共有3个模块
在有关 MOS 器件的这一模块中，我们将讨论以下主题：MOS 器件结构、平衡状态下 MOS 器件的能带图、平带条件、偏压下 MOS 的累积、耗尽和反转、反转状态下 MOS 的能带图和电荷分布、定量模型和相关参数、沟道偏压下的能带图、反转层电荷和对非平衡状态下 MOS 门限电压的影响、C-V 特性：不同偏置条件下的电荷分布、C-V 特性：频率依赖性、氧化物电荷对非理想 MOS 平带和阈值电压的影响以及非理想 MOS 中氧化物电荷的类型。
涵盖的内容
8个视频6篇阅读材料1个作业1个讨论话题
在有关 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的本模块中，我们将讨论以下主题：MOSFET 的发展历史、器件结构、器件类型、电路符号、长沟道理论、I-V 特性、工作模式、沟道长度调制、体偏压效应、块状电荷效应、阈下传导、短沟道器件中的源极/漏极电荷共享、漏极诱导势垒降低、次表面击穿、迁移率下降、速度饱和、漏极电流饱和、漏极电流随沟道长度的缩放以及速度随沟道长度的缩放。
涵盖的内容
7个视频3篇阅读材料1个作业
在有关 BJT（双极结晶体管）的本模块中，我们将讨论以下主题：BJT 器件结构、能带图、有源偏置、泄漏电流、基极重组、掺杂注入、基极非均匀掺杂、电流增益、BJT 开关、单异质结双极晶体管、双异质结双极晶体管、非均匀材料、早期效应、发射极偏置依赖性、高电平注入、基极、发射极和集电极传输时间以及 RC 时间常数。
涵盖的内容
6个视频3篇阅读材料1个作业1次同伴评审
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攻读学位
课程 是 University of Colorado Boulder提供的以下学位课程的一部分。如果您被录取并注册，您已完成的课程可计入您的学位学习，您的学习进度也可随之转移。
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自 2018开始学习的学生
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