In diesem Modul über MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) behandeln wir die folgenden Themen: Entwicklungsgeschichte der MOSFETs, Bauelementestruktur, Bauelementetypen, Schaltungssymbole, Theorie des langen Kanals, I-U-Charakteristiken, Betriebsmodi, Modulation der Kanallänge, Body-Bias-Effekt, Bulk-Ladungseffekt, Leitung unterhalb der Schwelle, Source/Drain-Ladungsteilung in Bauelementen mit kurzem Kanal, Drain-induzierte Barrieresenkung, Durchschlag unter der Oberfläche, Mobilitätsverschlechterung, Geschwindigkeitssättigung, Drainstromsättigung, Skalierung des Drainstroms mit der Kanallänge und Skalierung der Geschwindigkeit mit der Kanallänge.

In diesem Modul über BJTs (Bipolar Junction Transistors) werden wir die folgenden Themen behandeln: BJT-Gerätestrukturen, Energiebanddiagramme, aktive Vorspannung, Leckstrom, Rekombination in der Basis, Hoe-Injektion, ungleichmäßige Dotierung in der Basis, Stromverstärkung, Schalten mit BJT, Bipolartransistor mit einfachem Heteroübergang, Bipolartransistor mit doppeltem Heteroübergang, ungleichmäßiges Material, Early-Effekt, Abhängigkeit von der Emittervorspannung, High-Level-Injektion, Laufzeiten von Basis, Emitter und Kollektor und RC-Zeitkonstante.